TSMC 12nm工藝客戶不止NVIDIA，聯發科、海思也有12nm處理器

NVIDIA昨天發布的Tesla V100加速卡使用了Volta架構，製程工藝也非目前的16nm FF+而是新的12nm FFN，核心面積高達815mm2，創造了GPU核心新紀錄。隨著GV100核心的發布，TSMC的12nm工藝也拉開了序幕，不過後者的12nm工藝客戶可不止NVIDIA一家，聯發科、海思以及做SSD主控的SM慧榮也會跟進12nm工藝推新一代晶元。

NVIDIA的Volta顯卡使用的是12nm工藝，除了GV100核心外還有Xavier Tegra

準確地說，NVIDIA首個12nm工藝晶元是去年發布的Xavier處理器，這是目前Tegra「Parker」之後的新一代Tegra處理器，去年發布時NVIDIA公開表示它是16nm FF工藝的，不過Volta架構的Tesla V100發布之後，NVIDIA新一代GPU製造工藝將轉向12nm FFN（FinFet NVIDIA），使用Volta核心的Xavier也不例外。

昨天針對Volta架構的分析一文中，我們也簡單介紹了TSMC的12nm工藝——從Volta的晶體管密度來看，它跟目前的16nm FinFET Plus工藝變化不大，TSMC之前也提到12nm工藝實際上是基於16nm改進而來的，後者目前有16nm FinFET、16nm FF+（FinFET Plus）及16nm FFC三個改良版，其中性能最高的依然是16nm FF+，也就是Pacal顯卡在用的。

根據之前TSMC公布的數據，12nm FF工藝性能是16nm FFC工藝的1.1倍，功耗是0.7倍，核心面積縮減20%，不過性能能否超過16nm FF+還是未知數。更具懸念的是Volta的12nm FFN中的N代表的是NVIDIA定製，據說性能更強。

在拿下NVIDIA後，TSMC的12nm工藝還會收穫更多客戶，Digitimes報道稱聯發科、SM慧榮及海思也會跟進下單，其中SM慧榮公司2017發布的幾款SSD主控使用的是28nm工藝，12nm工藝的主控晶元可能會在2018年才用上12nm工藝。

原因並沒有提到聯發科、海思的12nm晶元計劃，轉而說起了蘋果、聯發科、海思的10nm晶元，其中用於iPhone 8的A11處理器是10nm工藝的，此前說4月份就開始量產備貨了。

聯發科規劃有兩款10nm晶元，Helio X30和P35，不過P35現在已經被取消了，原因是客戶數量太少。

海思的10nm晶元他們沒提，不過之前的爆料顯示海思的10nm晶元是麒麟970，各項規格比目前的16nm FFC工藝的麒麟960更強大，不過華為的習慣是下半年才發新一代晶元，要等到今年的Mate 10手機上才會用麒麟970處理器了。

本來聯發科的Helio X30應該是最先首發10nm工藝的，不過現在看已經延期，也許首先能見到的10nm晶元會是蘋果的A11處理器，它將隨著iPhone 8手機在9月底問世。想要了解iPhone 8和A11處理器更多信息的讀者可以加小超哥（ID：9501417）微信，關注他的爆料。